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 东芝推出用于工业设施的第3代碳化硅MOSFET采用可降低开关损耗的4引脚封装_爱游戏平台app下载/爱游戏体育官网网页/爱游戏登录入口

东芝推出用于工业设施的第3代碳化硅MOSFET采用可降低开关损耗的4引脚封装

来源:爱游戏平台app下载    发布时间:2024-11-11 23:59:18

产品详情

  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设施应用。该系列中五款标称电压为650V,另外五款标称电压为1200V,十款产品于今日开始批量出货。

  新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线L(X)封装的产品,其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,有助于减少封装内源极线电感的影响,来提升高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%,关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。

  东芝将继续扩大自身产品线,进一步契合市场趋势,并助力用户提高设备效率,扩大功率容量。

  *本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,但如有变更,恕不另行通知。

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